Принцип полупроводникового лазерного освещения

После того, как ток подается на два электрода, электроны в атомах активного материала в активном слое возбуждаются из состояния с низкой энергией в состояние с высокой энергией. Эти высокоэнергетические электроны излучают свет, когда они переходят из высокоэнергетического состояния в низкоэнергетическое состояние, которое называется спонтанным излучением. Спонтанно излучаемый свет не очень чистый, т. Е. Содержит более широкую спектральную линию. Если спонтанно излучаемый свет является сильным, свет отражается назад и вперед в двух зеркалах полупроводника. В этом процессе для каждой световой энергии с той же фазой энергия накладывается и увеличивается; для каждой энергии света с несовместимой фазой энергия ослабевает и становится все меньше и меньше. Энергия преобразуется в энергию света определенной длины волны в соответствии с полостью, образованной двумя зеркальными поверхностями полупроводника, и образует лазер, когда он колеблется. Лазер генерируется так называемым стимулированным излучением. Зеркало полупроводника является гладким и полупрозрачным, и лазер может выводиться из зеркала. Функция удерживающего слоя состоит в том, чтобы концентрировать световую энергию в активном слое для повышения эффективности. Длина волны света, излучаемого полупроводниковым лазером, зависит главным образом от расстояния между материалом полупроводника и поверхностью зеркала.