Несколько дней назад лаборатория Hubei Jiufengshan успешно осветила лазерный источник света, интегрированный в внутреннюю часть чипа на основе кремния, который является первой успешной реализацией технологии в Китае. Это знаменует собой, что лаборатория снова сделала веху прорыва в области кремниевой фотонной интеграции. Это достижение принимает гетерогенную технологию интеграции, исследуемую Liu Fengshan Laboratory, и завершает интеграцию процесса индий -фосфидных лазеров внутри 8- дюймовых SOI -пластов через сложный процесс.
Эта технология называется «чип из света» в отрасли, которая использует оптические сигналы с лучшими характеристиками передачи для замены электрических сигналов для передачи и является важным средством подрыва передачи сигналов между чипами с основной целью решения Проблема, что текущие межяги-электрические сигналы близки к физическому пределу. Он будет играть революционную роль в продвижении центров обработки данных, компьютерных центров, чипов процессора/графического процессора, чипов ИИ и других областей.
Лазерный источник света, зажженного в силиконовой пластине большого размера
Оптические оптические взаимосвязи, основанные на интеграции оптоэлектроники на основе кремния, считаются идеальным решением для прорыва в узких местах энергопотребления, пропускной способности и задержки, с которыми сталкиваются интегрированные технологии схемы в эпоху после Мур.
Самая сложная проблема отрасли в разработке оптической полностью интегрированной платформы кремния заключается в разработке и интеграции «Сердце» кремния оптического чипа, то есть источника света кремния, который может излучать свет с высокой эффективностью. Эта технология является одним из немногих оставшихся пробелов в области оптоэлектроники в Китае.
Jiufengshan Laboratory Silicon Optical Process Team и партнеры по совместным исследованиям в 8-дюймовых эпитаксиальных эпитаксиальных зернах кремниевой пластин Рост, материалы и пластины связаны с низким выходом, а также гетерогенная интеграционная пластина в чипевой паттерне, контроль травления и другие трудности. После почти десятилетия упущенных, мы наконец-то преуспели в том, чтобы зажечь лазер на чипе и осознавать «чип из света».
По сравнению с традиционным дискретным пакетом внешнего источника света и источника света FC Micro-сборка, лабораторная технология источника света Jiufengshan может эффективно решить традиционную эффективность связи световых чип Достаточно хорошие проблемы с процессом, прорывайте стоимость производства, большие размеры, сложную для крупномасштабной интеграции и другие узкие места массового производства.
Разрыв физического узкого места переноса больших данных между разработкой чипов и применением крупных моделей искусственного интеллекта, автономного вождения, телемедицины, удаленной дистанционной связи с низкой задержкой ...... спрос на вычислительную мощность в мире будущего увеличивается. По мере того, как путь увеличения плотности транзистора на одном чипе становится все более и более сложным, отрасль открыла новые идеи, чтобы упаковать несколько основных зерен на одном и том же субстрате, чтобы увеличить количество транзисторов.
Чем больше умирает в одном пакетном блоке, тем больше взаимосвязи между ними и чем дольше расстояние передачи данных, традиционная технология электрического взаимосвязанного соединения должна срочно развиваться и модернизировать. По сравнению с электрическими сигналами оптическая передача быстрее, менее стержни и менее отсроченная, а технология межметральной оптической взаимосвязи считается ключевой технологией для управления революцией информационных технологий следующего поколения.
Поскольку люди имеют более высокие и более высокие требования для передачи и обработки информации, традиционная микроэлектроника, обусловленная «законом Мура», была трудно решить проблемы энергопотребления, генерации тепла, перекрестных помех и других аспектов чипа. И через технологию оптической гетерогенной интеграции может быть реализована технология гетерогенной интеграции. Ультра-низкая сила преимуществ слияния исходного разделения устройства многие оптические и электрические компоненты вплоть до интеграции независимого микрочипа, для достижения высокоинтегрирования, низкокачественной высокоскоростной оптической передачи.
