Проще говоря, это использование высокочастотной вибрации на определенной длине волны лазера для разбиться вложение на поверхности объекта; Мгновенная высокой температуры, порожденных лазер вызывает прилагаемый материал слезает поверхности субстрата, тем самым достижение цели очистки.
Лазерная очистка объектов относятся загрязненные слои, краски, ржавчины слои и слои прилипания на поверхности любого материала. Его области применения включают: плесень очистки, металлические поверхности красочного слоя и припой совместных удаления, оксиды, нефтяных пятен, восстановление и сохранение исторических артефактов.
Лазерная очистка достигает удаления путем преодоления склеивание материала подложки к поверхности насадки. Основной механизм действия включает в себя следующие аспекты:
1. удаление жидких всплеск: подземные прилагаемый материала не достигает температуры газификации и мгновенно существует в виде тонкого слоя жидкости, в то время как силы реагирования, порожденных мгновенной расширение поверхности газа и дует силу технологического газа заставляют всплеск жидкого депозита. Для достижения эффекта удаления;
2, удаления жидких всплеск: подземные прилагаемый материала не достигает температуры газификации и существует в виде тонкого слоя жидкости, в то время как силы реагирования, порожденных мгновенного расширения поверхности газовых и дует силу силы процесс газа жидкого депозит заставки для достижения эффекта удаления;
3. Удаление вапоризация испарения: лазерная вапоризация причины энергии или испарения депозитов на подложке;
4. Удаление плазмы: Мгновенная высокой температуры, порожденных высокой плотности энергии лазера генерирует высокой температуры газа между депозита и материала подложки. Газа по-прежнему поглощает энергию лазерного сформировать высокотемпературной плазмы, и плазмы поглощает энергию и мгновенно расширяет произвести взрыв. Ударной волны, генерируемые взрыва давит адгезионный слой;
5. Удаление плазмы: Мгновенная высокой температуры, порожденных высокой плотности энергии лазера генерирует высокой температуры газа между депозита и материала подложки. Газа по-прежнему поглощает энергию лазерного сформировать высокотемпературной плазмы, и плазмы поглощает энергию и мгновенно расширяет произвести взрыв. Ударной волны, генерируемые взрыва давит адгезионный слой;
6. Удаление мягкой абляции: Лазерная абляция мягких определяется как явление массовой миграции, эрозии или потери материала поверхности за счет различных механизмов под облучением низкой мощности лазера плотности. Мягкой абляции часто встречается в лазерная очистка органических адгезии слоя, и его действия главным образом химической реакции.
YAG лазер, процесс очистки опирается на характеристики световых импульсов, производимые лазер, основанный на изучены фотофизические реакций, вызванных взаимодействия между высокой интенсивности балки, короткие импульсных лазеров и загрязненные слои. Его физические принципы можно резюмировать следующим образом:
1 поглощение энергии большие формы быстро расширяющейся плазмы (сильно ионизированные нестабильного газового), который генерирует ударной волны;
2 ударная волна вызывает загрязнители стать фрагментов и отклоняется;
3, ширина импульса света должен быть достаточно коротким, чтобы избежать накопления тепла поврежденной поверхности обрабатываемой поверхности;
4. эксперименты показали, что, когда есть оксида на поверхности металла, Плазма создается на поверхности металла.
5. эксперименты показали, что, когда есть оксида на поверхности металла, Плазма создается на поверхности металла.
Плазма создается только тогда, когда плотность энергии выше порога, который зависит от загрязненных или окиси слой удаляется. Этот пороговый эффект имеет важное значение для эффективной очистки при обеспечении безопасности материала подложки. Существует также второй порог на наличие плазмы. Если плотность энергии превышает этот порог, будут уничтожены материала подложки. С тем чтобы обеспечить эффективную очистку под предпосылкой обеспечения безопасности материала подложки, параметры лазерного должна корректироваться согласно ситуации так, что плотность энергии светового импульса является строго между двумя ползунками.
